SKU: MZ-V9P4T0| Marca: | Samsung |
|---|---|
| Modelo: | MZ-V9P4T0 |
| Capacidade: | 4TB (1 GB = 1 bilhão de bytes pela IDEMA) * A capacidade utilizável real pode ser menor (devido à formatação, particionamento, sistema operacional, aplicativos ou outros) |
| Formato: | M.2 (2280) |
| Interface: | PCIe geração 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Memória de armazenamento: | Samsung V-NAND TLC |
| Controlador: | Controlador interno da Samsung |
| Memória cache: | SDRAM DDR4 de baixo consumo de 4 GB Samsung |
| S.M.A.R.T: | Compatível |
| Velocidade de leitura: | Até 7.450 MB/s *O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema |
| Velocidade de gravação: | Até 6.900 MB/s * O desempenho pode variar de acordo com o hardware e a configuração do sistema |
| Consumo médio de energia (nível do sistema): | *Média: 6,5 W*Máximo: 8,6 W (modo Burst)* O consumo real de energia pode variar dependendo do hardware e da configuração do sistema |
| Tensão: | 3,3 V ± 5% Tensão permitida |
| MTBF: | 1,5 milhão de horas (MTBF) |
| Temperatura de funcionamento: | 0 - 70 ℃ |
| Choque: | 1.500 G e 0,5 ms (meio senoidal) |
| Dimensões (LxAxP): | 3,15 x 0,87 x 0,091 pol |
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